Описание
Характеристики
Отзывы
Сопутствующие файлы
Доступные скидки
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
lowest possible on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient device for use in a wide
variety of applications.
The D-PAK is designed for surface mounting using
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.
The straight lead version (IRFU series) is for throughhole mounting applications. Power dissipation levels
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount
applications.
Характеристики
Тип корпуса
TO-251AA
Маркировка на корпусе:
FU120N
Основные параметры
9,4A, 100V, Rds(on) 0,21 Ohm, N-Channel
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
Сопутствующие файлы
- IRFU120N.pdf (147.36 KBytes)
Доступные скидки
Описание | Скидка | Скидка, % | Цена |
---|---|---|---|
При заказе от 5 | 3,36 руб. | 7 | 44,64 руб. |
При заказе от 10 | 7,20 руб. | 15 | 40,80 руб. |
При заказе от 50 | 9,60 руб. | 20 | 38,40 руб. |
Сумма заказа от 10000 руб. | 7,20 руб. | 15 | 40,80 руб. |
Сумма заказа от 20000 руб. | 9,60 руб. | 20 | 38,40 руб. |
Сумма заказа от 35000 руб. | 12 руб. | 25 | 36 руб. |
ОПТ-1 От 10000 руб. в месяц. | 9,60 руб. | 20 | 38,40 руб. |
ОПТ-2 От 30000 руб. в месяц. | 21 руб. | 50 | 27 руб. |
ОПТ-3 От 50000 руб. в месяц. | 21,90 руб. | 60 | 26,10 руб. |